El costo de los módulos de memoria DDR5 ha seguido una escalada imparable durante casi un año. Los kits de 2×16 GB DDR5 que en 2023 se conseguían por unos 100 dólares hoy superan los 500, y algunos productos han registrado aumentos de entre cinco y diez veces. Detrás de este fenómeno están Samsung, SK Hynix y Micron, los tres fabricantes que concentran entre el 90 y el 95 por ciento del suministro mundial de chips DRAM.

Las consecuencias en sus balances son abrumadoras. En el primer trimestre, el beneficio neto de Samsung se multiplicó por cerca de ocho en comparación con el mismo período del año anterior, mientras que SK Hynix y Micron quintuplicaron sus ganancias. Las proyecciones indican que este año las tres empresas podrían acumular un beneficio neto equivalente al obtenido durante toda la década pasada. Si el actual ciclo de escasez y precios elevados se prolonga hasta 2027, 2028 o incluso 2030, como anticipan fuentes del sector, esos cinco años de bonanza teóricamente les permitirían embolsarse el equivalente a 50 años de beneficios anteriores.

Pese a este panorama excepcionalmente favorable, los tres gigantes no muestran interés en aumentar de manera sustancial la producción de memorias convencionales. Su foco está en los chips de memoria de alto ancho de banda (HBM), esenciales para aplicaciones de inteligencia artificial que ofrecen márgenes mucho más atractivos.

Samsung ha reservado 260 mil millones de dólares para construir seis nuevas plantas de obleas en el polígono industrial nacional de Yongin, Corea del Sur. Las obras comenzarán en el segundo semestre de este año, pero la producción no arrancará hasta 2031 y estará centrada en memorias HBM y en tecnologías de proceso de 1b y 1c nanómetros. De manera similar, SK Hynix y Micron están ampliando sus líneas de HBM con inversiones que iniciaron este año, aunque la producción en volumen no llegará sino hasta 2028 o 2030.

Como resultado, el incremento real de la oferta de memoria este año resulta insignificante. Samsung prevé fabricar 7.93 millones de obleas de memoria en 2026, apenas un 5 por ciento más que los 7.59 millones de 2025. SK Hynix pasará de 5.97 millones de obleas en 2025 a 6.48 millones en 2026, un avance del 8 por ciento, mientras que Micron mantendrá su capacidad en torno a los 3.6 millones de obleas, casi sin cambios respecto al año anterior.

En definitiva, con la demanda disparada y los precios quintuplicados, los tres grandes de la memoria DRAM apenas incrementan simbólicamente su producción. La mayoría de las nuevas fábricas están orientadas al segmento HBM, y la expansión de las líneas de memorias de uso general (DDR, LPDDR, GDDR) queda relegada a un segundo plano.